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MOSFETs doppi ad alta velocità e IGBTs di For Power del driver del MOSFET di NCS20074DTBR2G

Dettagli del prodotto

Marca: ON Semiconductor

Certificazione: ROHS

Numero di modello: NCS20074DTBR2G

Termini di trasporto & di pagamento

Quantità di ordine minimo: 1pcs

Prezzo: Negotiated

Imballaggi particolari: Tray/REEL

Tempi di consegna: 3-15days

Di riserva: 8000

Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacità di alimentazione: 1000PCS

Ottenga il migliore prezzo
Punto culminante:

Driver doppio del MOSFET da 1

,

2 megahertz

,

Driver doppio del MOSFET di IGBTs

Produttore Product Number:
NCS20074DTBR2G
Numero dei canali:
2
Gamma di tensione in ingresso:
±15 V
Gamma di tensione di rifornimento:
4.5V a 18V
Tasso di pantano:
0,3 V/μs
Prodotto di larghezza di banda di guadagno:
1,2 megahertz
Produttore Product Number:
NCS20074DTBR2G
Numero dei canali:
2
Gamma di tensione in ingresso:
±15 V
Gamma di tensione di rifornimento:
4.5V a 18V
Tasso di pantano:
0,3 V/μs
Prodotto di larghezza di banda di guadagno:
1,2 megahertz
MOSFETs doppi ad alta velocità e IGBTs di For Power del driver del MOSFET di NCS20074DTBR2G

NCS20074DTBR2G - Doppio driver MOSFET ad alta velocità per MOSFET di potenza e IGBT

 

Trova informazioni qui in stock.xlsx

Introduzione:

NCS20074DTBR2G è un doppio driver MOSFET ad alta velocità progettato per pilotare due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione a mezzo ponte.Il rapido tempo di salita e discesa (15 ns tipico) e l'ampio intervallo di tensione di ingresso (da 4,5 V a 18 V) lo rendono ideale per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

 

Applicazioni:

Convertitori CC-CC, azionamenti motore, inverter di potenza

 

Caratteristiche del prodotto:

Caratteristiche del prodotto Specifiche
Marca SU Semiconduttore
Intervallo di tensione di alimentazione Da 4,5V a 18V
Corrente di uscita Picco 4A
Tempo di salita/discesa 15ns tipico
tipo di pacchetto TSSOP-8
temperatura di esercizio da -40°C a 125°C

 

Più prodotti:

  1. NCV8402ASTT1G - Driver doppio MOSFET ad alta velocità
  2. NCP5181DT50RKG - Doppio driver MOSFET con ciclo di lavoro del 50%.
  3. NCP5181DR2G - Driver MOSFET doppio ad alta velocità con abilitazione
  4. NCP5106ADR2G - Driver MOSFET a mezzo ponte ad alta tensione
  5. NCV8401ASTT1G - Driver MOSFET quadruplo con abilitazione
  6. NCP5108ADR2G - Driver MOSFET a mezzo ponte ad alta tensione
  7. NCV8401STT1G - Driver MOSFET Quad ad alta velocità
  8. NCP5182DR2G - Driver MOSFET a mezzo ponte ad alta velocità con abilitazione
  9. NCP5111DR2G - Doppio driver MOSFET con ciclo di lavoro del 50%.
  10. NCP51705DR2G - Driver MOSFET a mezzo ponte con bootstrap integrato

MOSFETs doppi ad alta velocità e IGBTs di For Power del driver del MOSFET di NCS20074DTBR2G 0MOSFETs doppi ad alta velocità e IGBTs di For Power del driver del MOSFET di NCS20074DTBR2G 1MOSFETs doppi ad alta velocità e IGBTs di For Power del driver del MOSFET di NCS20074DTBR2G 2

FAQ:

D1: Qual è la tensione massima che può gestire l'NCS20074DTBR2G?

R: L'NCS20074DTBR2G ha una tensione di ingresso massima di 18 V.

 

D2: Qual è la corrente di uscita di NCS20074DTBR2G?

R: L'NCS20074DTBR2G può fornire una corrente di uscita di picco di 4A.

 

D3: Qual è il tipo di pacchetto di NCS20074DTBR2G?

R: L'NCS20074DTBR2G viene fornito in un pacchetto TSSOP-8.

 

D4: Quali sono alcune applicazioni comuni di NCS20074DTBR2G?

R: L'NCS20074DTBR2G è comunemente usato nei convertitori DC-DC, azionamenti motore e inverter di potenza.

 

D5: Qual è l'intervallo di temperatura di esercizio dell'NCS20074DTBR2G?

R: L'NCS20074DTBR2G può funzionare a temperature comprese tra -40°C e 125°C.