Dettagli del prodotto
Luogo di origine: TSOP
Marca: Micron Technology
Certificazione: ROHS
Numero di modello: MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1
Termini di trasporto & di pagamento
Quantità di ordine minimo: 1pcs
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Tray/REEL
Tempi di consegna: 3-15days
Di riserva: 8000
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1000PCS
Produttore Product Number: |
MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 |
Tipo di memoria: |
DDR3 SDRAM |
Capacità di memoria: |
8GB |
Velocità di memoria: |
1600MHz |
Tensione di rifornimento: |
1,5 V |
Tipo di pacchetto: |
240-pin DIMM |
Produttore Product Number: |
MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 |
Tipo di memoria: |
DDR3 SDRAM |
Capacità di memoria: |
8GB |
Velocità di memoria: |
1600MHz |
Tensione di rifornimento: |
1,5 V |
Tipo di pacchetto: |
240-pin DIMM |
MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 - 8 GB di memoria DDR3 SDRAM
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Introduzione:
Il MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 è un modulo di memoria DDR3 SDRAM da 8 GB progettato per l'uso in una varietà di applicazioni informatiche e ad alta memoria.e compatibilitàIl MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 offre inoltre un tasso di trasferimento dati ad alta velocità e un basso consumo energetico.con una lunghezza massima di 20 mm o più, ma non superiore a 20 mm.
Applicazioni:
Calcolatori desktop, portatili, server, postazioni di lavoro
Attributi del prodotto:
Marchio | Tecnologia Micron |
---|---|
Tipo di memoria | DDR3 SDRAM |
Dimensione della memoria | 8 GB |
Velocità di memoria | 1600 MHz |
Tensione di alimentazione | 1.5V |
Tipo di pacchetto | DIMM a 240 pin |
Altri prodotti:
FAQ:
Q1: Qual è il tipo di memoria del MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q2: Qual è la velocità di memoria del MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q3: Qual è la tensione di alimentazione del MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q4: Qual è la capacità di memoria del MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q5: Qual è il tipo di pacchetto del MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
D6: Per che tipo di dispositivi è adatto il MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?e stazioni di lavoro che richiedono elevate prestazioni e affidabilità per applicazioni ad alta memoria.